| 授業の目標と概要 |
本教科では、半導体工学Ⅰで学んだで基礎的半導体デバイスの動作を基に、半導体を
応用する能力を身につけるため、基礎的半導体デバイスの設計法を修得する。
|
履修上の注意
(準備する用具・
前提とする知識等)
|
授業中には演習がありその際電卓を使います。電卓を用意して下さい。また 4年生で学習
した電子材料Ⅰの基礎知識は必ず必要になります。基本を復習しておいて下さい。
|
| 到達目標 |
・電子の性質を理解し、固体材料中の電子のエネルギーが帯構造になることを説明
できる。
・半導体の電気的特性や物理的特性の基本を理解し、半導体を使った基礎的電子
部品の構造や電気特性を説明できる。
・基礎的な半導体電子デバイスの電気特性を計算できる。
|
| 成績評価方法 |
合否判定 4回の定期テストの平均点が60点（100点満点）超えていること
最終評価 4回の定期テストの平均点が90％と演習等の平均点10％
（テストの平均が60に満たない場合は、点数が満たされないテスト範囲
（授業範囲）で再試験を行うこともある。）
|
| テキスト・参考書 |
教科書 森北出版 ‘半導体工学 高橋 清著
参考書 電気大出版局 半導体工学
また項目ごとに、参考プリントを配布するので、有効に活用して下さい。
|
| メッセージ |
講義はプロジェクターを使用することが多く、配布資料に沿って行います。、配布資料が
多くなるので、それを綴じるファイルを用意してください。
|
| 授業の内容 |
授業項目 | 授業項目ごとの達成目標 |
半導体の電気伝導の復習（2回）
PN接合の電圧一電流特性（4回）
トンネル現象とトンネルダイオード（1回）
|
・半導体の電気伝導（4回）
・PN接合の電圧一電流特性を説明できる。
・PN接合の電圧一電流特性を理解し、簡単な計算ができる。
|
| 後期中間試験 |
実施する
|
金属半導体接触の性質と電気的特性（2回）
JFETの電気的特性解析（3回）
MOSトランジスタの電流一電圧特性（3回）
|
・金属と半導体のエネルギーバンド図を説明できる。
・JFETの電気特性を理解し、JFETの設計要素が理解できる。
・MOSトランジスタ動作を理解し、電気的特性が理解できる。
|
| 後期期末試験 |
実施する
|