| 授業の目標と概要 |
本科目では、半導体工学Ⅰで学んだで基礎的半導体デバイスの動作を基に、半導体を
応用する能力を身につけるため、基礎的半導体デバイスの設計法を修得する。
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履修上の注意
(準備する用具・
前提とする知識等)
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講義中には演習がありその際電卓を使います。電卓を用意して下さい。また 4年生で学習
した電子材料Ⅰの基礎知識は必ず必要になります。基本を復習し理解しておいて下さ
い。演習
問題やレポートが増えます。自ら考え自学自習してください。
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| 到達目標 |
・電子の性質を理解し、固体材料中の電子のエネルギーが帯構造になることを説明
できる。
・半導体の電気的特性や物理的特性の基本を理解し、半導体を使った基礎的電子
部品の構造や電気特性を説明できる。
・基礎的な半導体電子デバイスの電気特性を計算できる。
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| 成績評価方法 |
合否判定 2回の定期テストの平均点が60点（100点満点）を超えていること
最終評価 2回の定期テストの平均点が90％と演習等の平均点10％
（テストの平均が60に満たない場合は、点数が満たされないテスト範囲
（授業範囲）で再試験を行う。再試験は筆記試験で実施し、６０点以上を
合格とする）
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| テキスト・参考書 |
教科書 森北出版 ‘半導体工学 高橋 清著
参考書 電気大出版局 半導体工学
また項目ごとに、参考プリントを配布するので、有効に活用して下さい。
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| メッセージ |
講義はプロジェクターを使用することが多く、配布資料に沿って行います。配布資料が
多くなるので、それを綴じるファイルを用意してください。
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| 授業の内容 |
授業項目 | 授業項目ごとの達成目標 |
半導体の電気伝導の復習（2回）
PN接合の電圧一電流特性（4回）
トンネル現象とトンネルダイオード（1回）
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・半導体のキャリアの性質や濃度により電気伝導の特性を説明できる
・PN接合の電圧一電流特性を説明できる。
・PN接合の電圧一電流特性を理解し、簡単な計算ができる。
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| 後期中間試験 |
実施する
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金属半導体接触の性質と電気的特性（2回）
JFETの電気的特性解析（3回）
MOSトランジスタの電流一電圧特性（3回）
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・金属と半導体のエネルギーバンド図を説明できる。
・JFETの電気特性を理解し、JFETの設計要素が理解できる。
・MOSトランジスタ動作を理解し、電気的特性が理解できる。
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| 後期期末試験 |
実施する
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