| 授業の目標と概要 |
DVD録画機や携帯電話などの電子機器の心臓部を構成するダイオードやトランジスタの
動作原理や電気特性、回路の動作特性について理解する。また、太陽電池、発光ダイ
オード、半導体レーザなど、近年、急速に発展している光デバイスについても取り扱
う。釧路高専教育目標：C，JABEE：d-1-3
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履修上の注意
(準備する用具・
前提とする知識等)
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本科目は量子統計工学の知識を必須とする。履修希望者は、量子統計工学の単位を取得
しておくこと。
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| 到達目標 |
ダイオード、トランジスタ、光デバイスなどの基本的な素子の動作原理を理解する。各
種のデバイスの動作が物理法則と、どのように関連しているかを理解する。
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| 成績評価方法 |
合否判定：定期試験の結果が60点以上であること。
最終評価：定期試験の結果（90％）とレポート、演習の結果（10％）の合計。
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| テキスト・参考書 |
教科書：『増補改訂版 図説電子デバイス 』 菅 博他、産業図書
参考書：『半導体デバイス 第2版』 S. M. ジィー、産業図書
参考書：『Physics of Semiconductor Devices』 S. M. Sze、Wiley-Interscience
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| メッセージ |
IC、LSIを構成するトランジスタの構造や動作原理を学ぶことで、ブラックボックスで
ある集積回路を理解することができる。また、太陽電池や半導体レーザなど、デバイス
の将来展望についても触れる。
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| 授業の内容 |
授業項目 | 授業項目ごとの達成目標 |
1． 結晶とエネルギー帯（2回）
2． 半導体のキャリア（3回）
3． pn接合とダイオード（3回）
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・半導体工学の基礎を理解できる。
・半導体中のキャリアの振る舞いやフェルミ準位を理解できる。
・pn接合の基本原理とダイオードの特性を理解できる。
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| 後期中間試験 |
実施しない
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4． バイポーラトランジスタと接合型FET（2回）
5． 金属-半導体接合とMISFET（3回）
6． 集積回路と光電素子（2回）
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・トランジスタの動作原理、電気特性を理解できる。
・MOSFETの動作原理、電気特性を理解できる。
・半導体デバイスの技術動向を理解できる。
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| 後期期末試験 |
実施する
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