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電子回路Ⅰ 電子回路Ⅱ

授業内容・授業計画

授業の目標と概要 電子回路Ⅰで学んだ内容を基礎として、高周波に対するトランジスタ・ダイオードの電
気特性や、それを用いた基礎的回路や電気的特性を理解する。 電化製品に使わ
れている基礎的増幅回路の機能やその動作を学習し、高周波に対する回路設計の
基本を理解するとともに、工学の幅広い基礎知識を取得する。


履修上の注意
(準備する用具・
前提とする知識等)
講義と演習を組み合わせながら授業を進める。演習時に電卓が必要となるので持参すること。
講義、演習では電気回路の知識や電子回路Ⅰで学んだ知識が必要になる。
繰り返し復習し、基礎的回路計算方法や線形素子(部品)の性質等を理解しておくことが必要となる。
到達目標 バイポーラトランジスタの基本的な回路設計ができる。
バイポーラトランジスタの増幅回路の高周波特性を説明できる。
MOSFETの基礎的電気的特性を説明でき、CMOSロジックの動作を説明できる。
成績評価方法 合否判定 2回の定期試験の平均点が60点(100点満点)を超えていること。
最終評価 2回の定期試験の平均点が90%と演習の平均点10%
(定期試験の平均が60点に満たない場合は、点数が満たない範囲で再試験を行い、平均点が60点以上の場合は、最終評価を60点とする。
最終評価が60点に満たない場合は、学年末に60点に満たない範囲で再試験を行ない、60点以上で合格とする。)
テキスト・参考書 教科書: :第3学年で使用した電子工学科で作成したテキストを使用する
参考書: コロナ社 基礎電子回路 原田耕介他
       コロナ社 電子回路 検定教科書
       オーム社 電子回路(1)、電子回路(2) 雨宮好文等
メッセージ 教科書と併用しながら学んでください。技術や知識は基礎からの積み上げが重要です。一歩一歩確実に積み上げて下さい。
授業の内容
授業項目 授業項目ごとの達成目標
1.授業のガイダンス(1回)
2.ダイオード回路(1回)
3.バイポーラトランジスタのアナログ回路(2回)
4.バイポーラトランジスタを用いた2段増幅回路(1回)
5.電界効果トランジスタ(FET)のアナログ増幅回路の基礎(2回)
1.授業の到達目標が理解できる。
2.ダイオードを用いた電子回路の入出力の関係を計算できる。
3.バイポーラトランジスタの低周波等価回路を用いて増幅回路の増幅度、インピーダンスの計算ができる。
4.バイポーラトランジスタを用いた2段増幅回路を低周波等価回路を用いることで、増幅度とインピーダンスを計算できる。
5.FETの低周波等価回路を用いて増幅回路の増幅度とインピーダンスの計算ができる。
前期中間試験 実施する
6.バイポーラトランジスタの高周波特性(3回)
7.OPアンプを用いた差動増幅回路(1回)
8.マルチバイブレーター(1回)
9.CMOSロジック回路の基礎(2回)
6.バイポーラトランジスタの高周波における増幅度の計算ができる。
7.OPアンプを用いた差動増幅回路の動作を説明できる。
8.マルチバイブレーターの機能の違い説明でき、動作を説明できる
9.MOSFET基礎的動作を説明でき、CMOS論理回路の基礎的性質を説明できる。
前期期末試験 実施する
到達目標
1. バイポーラトランジスタの低周波等価回路を用いて増幅回路の増幅度、インピーダンスの計算ができる。
2. FETの低周波等価回路を用いて増幅回路の増幅度、インピーダンスの計算ができる。
3. バイポーラトランジスタの高周波等価回路を用いて増幅回路の増幅度、インピーダンスの計算ができる。
4. 差動増幅回路の動作を説明できる。
5. マルチバイブレーターの機能の違い説明でき、動作を説明できる。
6. MOSFET基礎的動作を説明でき、CMOS回路の基礎的性質を説明できる。
  理想的な到達レベルの目安(優) 標準的な到達レベルの目安(良) 未到達レベルの目安(不可)
評価項目 1 バイポーラトランジスタの低周波等価回路を用いて増幅回路の増幅度、インピーダンスの計算ができる。 また、要求される増幅回路を構成できる。 バイポーラトランジスタの低周波等価回路を用いて増幅回路の増幅度、インピーダンスの計算ができる。 バイポーラトランジスタの低周波等価回路を用いて増幅回路の増幅度、インピーダンスの計算ができない。
評価項目 2 FETの低周波等価回路を用いて増幅回路の増幅度、インピーダンスの計算ができる。また、要求される回路を構成できる。 FETの低周波等価回路を用いて増幅回路の増幅度、インピーダンスの計算ができる。 FETの低周波等価回路を用いて増幅回路の増幅度、インピーダンスの計算ができない。
評価項目 3 バイポーラトランジスタの高周波等価回路を用いて増幅回路の増幅度、インピーダンスの計算ができる。 また、要求される回路を構成できる。 バイポーラトランジスタの高周波等価回路を用いて増幅回路の増幅度、インピーダンスの計算ができる。 バイポーラトランジスタの高周波等価回路を用いて増幅回路の増幅度、インピーダンスの計算ができない。
評価項目 4 差動増幅回路の動作を説明できる。 また、回路を構成できる。 差動増幅回路の動作を説明できる。 差動増幅回路の動作を説明できない。
評価項目 5 マルチバイブレーターの機能の違い説明でき、動作を説明できる。また、回路を構成できる。 マルチバイブレーターの機能の違い説明でき、動作を説明できる。 マルチバイブレーターの機能の違い説明でき、動作を説明できない。
評価項目 6 MOSFET基礎的動作を説明でき、CMOS回路の基礎的性質を説明できる。また、回路を構成できる。 MOSFET基礎的動作を説明でき、CMOS回路の基礎的性質を説明できる。 MOSFET基礎的動作を説明でき、CMOS回路の基礎的性質を説明できない。
評価割合
  試験 発表 相互評価 態度 ポートフォリオ その他 合計
総合評価割合 90 0 0 10 0 0 100
基礎的能力
専門的能力
分野横断的能力
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